全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路，最近开发出针对150V耐压GaN HEMT(以下称“GaN器件”)，高达8V的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)技术。
近年来，在服务器系统等领域，由于IoT(物联网)设备的需求日益增长，功率转换效率的提升和设备的小型化已经成为重要的社会课题之一，而这就要求功率元器件实现进一步发展与进步。罗姆一直在大力推动业内先进的SiC元器件和各种具有优势的硅元器件的开发与量产，以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。
据了解，罗姆利用自有的结构，成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V，这将有助于提高采用高效率的GaN器件的电源电路的设计裕度和可靠性。未来，罗姆将加快使用该技术的GaN器件开发速度，预计于2021年9月即可开始提供产品样品。(陈智慧)
